2024年中科院中国科学院大学804半导体物理考研真题及答案

来源：布丁考研网 2024-07-11 15:43 487 阅读

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一、名词解释（每题5分，共40分）

1、金刚石结构

2、施主能级

3、格波

4、非平衡载流子寿命

二、判断题（每题1分，共30分）

1、温度一定时，给定半导体材料的ni为常数，和费米能级无关。

2、pn结的空间电荷区宽度越大，势垒电容越大。

3、在简并布里渊区中，锗共有8个旋转着的沿<111>方向的倒带等能面椭球。

4、实测半导体样品的少子寿命是体内复合寿命和表面复合寿命的加和。

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【责任编辑：星轨】

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