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2020年中国科学院大学半导体研究所硕士研究生招生专业目录

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1956年,在我国十二年科学技术发展远景规划中,半导体科学技术被列为当时国家新技术四大紧急措施之一。为了创建中国半导体科学技术的研究发展基地,国家于1960年9月6日在北京成立中国科学院半导体研究所,开启了中国半导体科学技术的发展之路。 半导体所拥有两个国家级研究中心—国家光电子工艺中心、光电子器件国家工程研究中心;三个国家重点实验室—半导体超晶格国家重点实验室、集成光电子学国家重点联合实验室、表面物理国家重点实验室(半导体所区);三个院级实验室(中心)—半导体材料科学重点实验室、中科院半导体照明研发中心和中科院固态光电信息技术重点实验室。此外,还设有半导体集成技术工程研究中心、光电子研究发展中心、高速电路与神经网络实验室、纳米光电子实验室、光电系统实验室、全固态光源实验室、元器件检测中心和半导体能源研究发展中心。 半导体所现有职工680余名,其中科技人员约500名。包括中国科学院院士6名,中国工程院院士2名,海外高端人才28人,国家“万人计划”入选者3人,国家杰出青年科学基金获得者19人,“百千万人才工程”入选者11人,其中黄昆院士荣获2001年国家最高科学技术奖。设有3个博士后流动站,3个一级学科博士培养点,2个工程硕士培养点。 半导体所拥有一支老、中、青相结合及年龄、知识结构、学科分布合理的研究生指导教师队伍,现有研究生导师170余名,其中博士生导师100余名。 研究所目前在学研究生近730名,博士后在站人员40余名。研究生已经成为半导体所科研工作的生力军。半导体所实行研究生兼任研究助理的方式,为研究生提供优越的科研和生活条件,研究生可以直接参与研究所承担的重大课题项目及前沿研究与攻关。 半导体所2020年预计招收硕士研究生117名(含推免硕士),实际招生人数以下达指标数为准。 热忱欢迎广大考生报考! 网址:http://www.semi.ac.cn/ ; E-mail:yjsb@semi.ac.cn。

单位代码80136单位地址北京市海淀区清华东路甲35号邮政编码100083
联系部门研究生部联系电话010-82304321联系人徐老师
电子邮件yjsb@semi.ac.cn目录类别硕士
网址http://www.semi.ac.cn
学科、专业名称(代码)研究方向预计招生考试科目备注
070205 凝聚态物理117  
01 (全日制)拓扑绝缘体,石墨烯,自旋电子学①101思想政治理论②201英语一③301数学一④809固体物理或811量子力学
02 (全日制)半导体材料理论计算、物性探究与设计,半导体缺陷物理同上
03 (全日制)半导体中电子自旋的超精细相互作用,半导体超快光谱的实时瞬态测量同上
04 (全日制)半导体物理及器件物理同上
05 (全日制)自旋电子学,拓扑绝缘体,新型二维材料同上
06 (全日制)半导体物理与器件物理;半导体芯片材料;新能源材料;理论设计和器件模拟同上
07 (全日制)半导体量子点和缺陷态相关的单光子发射同上
08 (全日制)石墨烯光电子学同上
09 (全日制)自旋电子学同上
10 (全日制)自旋电子学器件,低维纳米器件物理研究同上
11 (全日制)自旋电子学,磁学,表面物理同上
12 (全日制)半导体材料和纳米体系的第一性原理计算,半导体表面和界面同上
13 (全日制)半导体光物理和器件同上
14 (全日制)半导体量子结构中自旋相关物理过程研究同上
15 (全日制)半导体低维量子材料同上
080501 材料物理与化学  
01 (全日制)半导体低维结构材料,半导体光谱物理及技术,半导体自旋电子学①101思想政治理论②201英语一③302数学二④804半导体物理或809固体物理
02 (全日制)分子束外延,二维电子气,自旋轨道耦合,化合物半导体同上
03 (全日制)基于微电子技术的生物传感器研究同上
04 (全日制)宽禁带半导体材料、器件和物理;半导体低维结构材料、器件和物理同上
05 (全日制)量子级联材料、器件及物理同上
06 (全日制)红外与太赫兹半导体器件同上
07 (全日制)碳化硅,石墨烯,半导体设备同上
08 (全日制)氮化物光电材料及系统研究同上
09 (全日制)低维半导体物理同上
10 (全日制)低维半导体材料与器件,光电转换器件同上
11 (全日制)宽带隙半导体材料与器件同上
12 (全日制)氮化物材料制备技术研究,深紫外LED材料生长和器件制备技术同上
13 (全日制)量子级联激光器,半导体材料表征同上
14 (全日制)宽禁带半导体信息功能材料的外延生长、物理及器件制备同上
15 (全日制)新能源同上
16 (全日制)宽禁带半导体材料与器件同上
17 (全日制)AlN单晶制备技术,紫外LED应用研究,材料测试表征同上
18 (全日制)氮化物材料生长与器件研究同上
19 (全日制)III-V族半导体低维光电材料制备及器件应用同上
20 (全日制)宽禁带半导体材料、器件及物理研究同上
21 (全日制)功能氧化物,多铁性材料同上
22 (全日制)太阳能电池,新型半导体材料与器件同上
23 (全日制)半导体材料,MEMS,微纳传感器同上
24 (全日制)凝聚态物理,材料物理,计算物理同上
25 (全日制)半导体激光器同上
26 (全日制)基于二维材料的被动锁模激光研究同上
27 (全日制)MEMS生化传感器同上
28 (全日制)二维原子晶体材料同上
29 (全日制)缺陷与杂质同上
0805Z2 半导体材料与器件  
01 (全日制)硅基光互连,数据中心高速收发,相干混频①101思想政治理论②201英语一③302数学二④804半导体物理或809固体物理
02 (全日制)硅基微腔克尔光频梳及片上集成多波长光源,硅基量子纠缠光源,光量子集成芯片同上
03 (全日制)半导体低维结构材料,半导体光谱物理及技术,半导体自旋电子学同上
04 (全日制)分子束外延,二维电子气,自旋轨道耦合,化合物半导体同上
05 (全日制)基于微电子技术的生物传感器研究同上
06 (全日制)宽禁带半导体材料、器件和物理;半导体低维结构材料、器件和物理同上
07 (全日制)量子级联材料、器件及物理同上
08 (全日制)红外与太赫兹半导体器件同上
09 (全日制)低维半导体红外激光器与探测器同上
10 (全日制)碳化硅,石墨烯,半导体设备同上
11 (全日制)氮化物光电材料及系统研究同上
12 (全日制)锑化物二类超晶格及量子点红外探测器同上
13 (全日制)半导体低维材料,光电子器件,量子器件同上
14 (全日制)拓扑量子计算同上
15 (全日制)低维半导体材料与器件,光电转换器件同上
16 (全日制)宽带隙半导体材料与器件同上
17 (全日制)氮化物材料制备技术研究,深紫外LED材料生长和器件制备技术同上
18 (全日制)量子级联激光器,半导体材料表征同上
19 (全日制)宽禁带半导体信息功能材料的外延生长、物理及器件制备同上
20 (全日制)新能源同上
21 (全日制)氮化物材料生长与器件研究同上
22 (全日制)III-V族半导体低维光电材料制备及器件应用同上
23 (全日制)微纳结构材料光物理特性及其器件与光子集成同上
24 (全日制)宽禁带半导体材料、器件及物理研究同上
25 (全日制)功能氧化物,多铁性材料同上
26 (全日制)太阳能电池,新型半导体材料与器件同上
27 (全日制)半导体材料,MEMS,微纳传感器同上
28 (全日制)凝聚态物理,材料物理,计算物理同上
29 (全日制)半导体激光器同上
30 (全日制)基于二维材料的被动锁模激光研究同上
31 (全日制)MEMS生化传感器同上
32 (全日制)二维原子晶体材料同上
33 (全日制)缺陷与杂质同上
34 (全日制)硅基光电子材料与器件同上
080901 物理电子学  
01 (全日制)硅基光电子学①101思想政治理论②201英语一③301数学一④804半导体物理或809固体物理
02 (全日制)光电子集成芯片及相关材料、器件和工艺,新型光电探测器同上
03 (全日制)微腔激光器及其集成和应用同上
04 (全日制)光电子;光纤传感;光纤激光器同上
05 (全日制)光电子学同上
06 (全日制)高功率全固态激光器研究同上
07 (全日制)光电成像与机器视觉同上
08 (全日制)半导体激光器,光子集成,微波光子学同上
09 (全日制)大功率半导体激光器同上
10 (全日制)透明导电薄膜,薄膜太阳电池,表面等离激元电光调制器同上
11 (全日制)表面等离激元物理及光子学,光电子器件,中波红外激光器同上
12 (全日制)新型光电子器件,窄线宽激光器,半导体器件工艺同上
13 (全日制)新型光电子器件及其集成技术的研究、开发、中试规模的生产同上
14 (全日制)远距离快速高分辨率三维成像同上
15 (全日制)光电子器件,光通信,光传感同上
16 (全日制)光纤传感,光纤激光器,信号处理同上
17 (全日制)MEMS同上
18 (全日制)低维半导体材料、器件及物理;新型量子点激光器、探测器和太阳能电池同上
19 (全日制)半导体光电子器件同上
20 (全日制)全固态激光技术同上
21 (全日制)半导体光放大器的研究同上
22 (全日制)光纤传感技术,地球物理仪器同上
23 (全日制)光电子集成同上
24 (全日制)光子晶体材料、物理、器件与集成同上
25 (全日制)大功率半导体激光器(列阵)及其组件同上
26 (全日制)光电子技术同上
080902 电路与系统  
01 (全日制)可见光通信;光电子技术①101思想政治理论②201英语一③301数学一④856电子线路或859信号与系统
02 (全日制)神经计算芯片,神经网络算法及其应用研究同上
03 (全日制)光电探测同上
04 (全日制)人工神经网络,模式识别与智能系统同上
05 (全日制)智能系统的硬件化实现同上
06 (全日制)数模混合电路,高速通信电路,光电集成同上
07 (全日制)神经计算芯片及应用研究同上
08 (全日制)神经工程,脑机接口,生物医学信号处理,模式识别同上
09 (全日制)基于深度神经网络的图像并行处理芯片同上
10 (全日制)低功耗芯片设计,AI芯片设计同上
11 (全日制)光电信息探测与成像,光电应用同上
080903 微电子学与固体电子学  
01 (全日制)硅基光电子学①101思想政治理论②201英语一③301数学一④804半导体物理或809固体物理
02 (全日制)光电子集成芯片及相关材料、器件和工艺,新型光电探测器同上
03 (全日制)高速半导体激光器及其产业化技术研究同上
04 (全日制)微腔及微纳光电子器件同上
05 (全日制)光子集成回路同上
06 (全日制)LED新型器件与Micro-LED显示及应用同上
07 (全日制)微波光子学同上
08 (全日制)光电子学,光电子芯片与器件,光电子集成技术同上
09 (全日制)InP基光电子器件集成同上
10 (全日制)微纳面发射激光器,半导体激光器,光电子集成,微纳光子器件及应用同上
11 (全日制)红外及THz量子级联激光器同上
12 (全日制)高功率半导体激光二极管及组件同上
13 (全日制)半导体光电子集成器件设计、研制与封装同上
14 (全日制)传感器与人工智能系统同上
15 (全日制)第三代半导体材料与器件,氮化物发光材料与器件,新型纳米器件,氮化物自旋晶体管器件同上
16 (全日制)大功率半导体激光器同上
17 (全日制)半导体激光器,探测器同上
18 (全日制)单片集成激光雷达芯片同上
19 (全日制)半导体探测器、太阳电池、激光器等有源器件同上
20 (全日制)高功率高亮度基模半导体激光器同上
21 (全日制)高光束质量光子晶体激光器,新型单纵模和可调谐激光器,芯片集成同上
22 (全日制)特种红外及紫外探测技术同上
23 (全日制)新型光电子器件,窄线宽激光器,半导体器件工艺同上
24 (全日制)新型光电子器件及其集成技术的研究、开发、中试规模的生产同上
25 (全日制)红外探测,红外焦平面,分子束外延同上
26 (全日制)氮化物材料制备技术研究,深紫外LED材料生长和器件制备技术同上
27 (全日制)宽禁带半导体信息功能材料的外延生长、物理及器件制备同上
28 (全日制)激光与光电子同上
29 (全日制)光子集成同上
30 (全日制)新结构和新材料半导体激光器研究同上
31 (全日制)低维半导体材料与光电功能器件同上
32 (全日制)半导体光电子器件同上
33 (全日制)光电子器件,光通信,光传感同上
34 (全日制)红外半导体材料与器件同上
35 (全日制)半导体光电子学同上
36 (全日制)硅基光电子材料与器件同上
37 (全日制)氮化物半导体材料与器件同上
38 (全日制)氮化物,发光二极管同上
39 (全日制)用于光通信、光互连与光计算的硅基光子器件与集成系统同上
40 (全日制)低维半导体材料、器件及物理;新型量子点激光器、探测器和太阳能电池同上
41 (全日制)低维纳米结构材料、器件与物理;太阳能电池同上
42 (全日制)新型半导体材料、光电器件及应用同上
43 (全日制)半导体光放大器的研究同上
44 (全日制)III族氮化物材料及器件,发光二极管同上
45 (全日制)硅基集成光电子器件同上
46 (全日制)模拟集成电路设计同上
47 (全日制)III-V族微电子材料及器件同上
48 (全日制)硅基光子集成;光子晶体同上
49 (全日制)基于GaN基半导体材料的射频器件及集成电路同上
50 (全日制)半导体光电子材料与器件同上
51 (全日制)适用于可见光通信的新型氮化物光电器件同上
52 (全日制)光电子集成同上
53 (全日制)新型人工微结构光电子器件及原理研究同上
54 (全日制)高性能数模混合集成电路,高性能射频集成电路设计①101思想政治理论②201英语一③301数学一④804半导体物理或856电子线路
55 (全日制)模拟、射频集成电路设计同上
56 (全日制)宽禁带电力电子器件研究同上
57 (全日制)高速CMOS图像传感器同上
58 (全日制)半导体纳米器件和电路同上
59 (全日制)神经形态类脑芯片同上
60 (全日制)智能芯片算法与硬件设计同上
61 (全日制)高可靠数模混合集成电路的技术研究同上
62 (全日制)表面等离子体激元,特异介质材料,光子晶体同上
63 (全日制)高速智能图像传感器芯片同上
64 (全日制)太赫兹成像,高速图像传感器,单光子成像同上
65 (全日制)医疗电子及AI应用同上
66 (全日制)硅基集成同上
67 (全日制)柔性传感器同上
68 (全日制)神经网络与计算智能同上
69 (全日制)MEMS器件,惯性器件,光电器件,微系统封装同上
70 (全日制)MEMS器件与系统同上
71 (全日制)神经接口器件及应用同上
72 (全日制)柔性电子学,纳米技术同上
73 (全日制)LED非视觉照明应用同上
74 (全日制)高效太阳电池,纳米热电器件同上
75 (全日制)基于深度神经网络的图像并行处理芯片同上
76 (全日制)MEMS同上
77 (全日制)微纳电子机械系统,传感器同上
085400 电子信息  
01 (全日制)高性能数模混合集成电路,高性能射频集成电路设计①101思想政治理论②204英语二③301数学一④804半导体物理或856电子线路
02 (全日制)模拟、射频集成电路设计同上
03 (全日制)高速CMOS图像传感器同上
04 (全日制)硅/石墨烯光电器件及集成芯片同上
05 (全日制)智能芯片算法与硬件设计同上
06 (全日制)激光雷达测试同上
07 (全日制)光学陀螺同上
08 (全日制)智能信息处理,机器学习同上
09 (全日制)新型光电子器件设计与应用研究同上
10 (全日制)机器学习算法的FPGA实现及芯片实现同上
11 (全日制)氮化物半导体材料与器件同上
12 (全日制)氮化物,发光二极管同上
13 (全日制)低维纳米结构材料、器件与物理;太阳能电池同上
14 (全日制)半导体光放大器的研究同上
15 (全日制)硅基集成光电子器件同上
16 (全日制)模拟集成电路设计同上
17 (全日制)III-V族微电子材料及器件同上
085600 材料与化工  
01 (全日制)分子束外延,二维电子气,自旋轨道耦合,化合物半导体①101思想政治理论②204英语二③302数学二④804半导体物理或809固体物理
02 (全日制)基于微电子技术的生物传感器研究同上
03 (全日制)半导体低维结构材料和量子器件同上
04 (全日制)碳化硅,石墨烯,半导体设备同上
05 (全日制)GaN基光电子材料和器件同上
06 (全日制)氮化物材料生长与器件研究同上
07 (全日制)III-V族半导体低维光电材料制备及器件应用同上
08 (全日制)大失配异质外延衬底制备技术研究同上
09 (全日制)功能氧化物,多铁性材料同上
10 (全日制)半导体激光器同上
11 (全日制)基于二维材料的被动锁模激光研究同上
12 (全日制)宽带隙半导体材料与物理同上

【责任编辑:珍妮】

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