2025年中科院考研交流群：647217963，让你第一时间掌握最新考研信息

一、选择题（每小题5分，共30分）

1、轻空穴是指（  ）

A 质量较大的原子组成的半导体中的空穴

B 质量较小的原子组成的半导体中的空穴

C 价带顶附近曲率较大的等能面上的孔穴

D 价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴

2、对于锗材料，温度不变，当受主杂质能级E_A与费米能级E_F相等时，电离受主的浓度是未电离受主浓度的（  ）

A       B       C       D

3、在第一布里渊区内，硅和锗的导带结构分别包含了（  ）个等效的完整椭球等能面。

A 6，8    B 6，4    C 3，4    D 3，8

4、室温时，N型非简并半导体的功函数随掺杂浓度增加而（  ）

A 变大     B 变小     C 不变      D 先变大后变小

5、砷化镓的负微分电导效应主要是由于在强电场作用下（  ）

A 载流子浓度变大         B载流子寿命边长   

C载流子发生能谷间散射    D非平衡载流子注入

6、光电转换过程中，硅材料一般不如砷化镓的量子效率高，主要因为硅是（  ）

A 禁带较窄的半导体      B禁带较宽的半导体

C 直接带隙的半导体      D间接带隙的半导体

2025年中科院考研交流群：647217963，让你第一时间掌握最新考研信息